【陈星弼院士逝世】陈星弼院士是中国著名的电子学家、微电子学与固体电子学领域的杰出科学家，也是中国半导体器件与集成电路领域的奠基人之一。他一生致力于科研与教育事业，为中国电子技术的发展作出了不可磨灭的贡献。2024年，陈星弼院士因病医治无效，在上海逝世，享年87岁。
陈星弼院士生平简要总结
| 项目 | 内容 |
| 姓名 | 陈星弼 |
| 出生年份 | 1937年 |
| 逝世年份 | 2024年 |
| 籍贯 | 江苏南京 |
| 学历 | 清华大学电机系毕业 |
| 职称/职务 | 教授、博士生导师、中国科学院院士 |
| 研究方向 | 半导体器件、微电子学、集成电路设计 |
| 主要成就 | 中国半导体器件理论研究的开拓者之一，推动了中国集成电路技术的发展 |
| 教育贡献 | 培养大批电子科技人才，担任多所高校教授 |
| 代表著作 | 《半导体物理》、《微电子学基础》等 |
陈星弼院士的主要贡献
陈星弼院士在电子学领域深耕多年，特别是在半导体器件理论和集成电路设计方面有深入研究。他提出的“载流子迁移率模型”为后来的半导体器件优化提供了重要理论依据。此外，他在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）研究方面也取得了显著成果，对中国微电子工业的发展起到了关键作用。
他不仅在学术上成就斐然，还长期从事教学工作，培养了一代又一代的电子工程人才。他的学生中不乏国内外知名的专家学者，为中国电子科技事业注入了源源不断的活力。
陈星弼院士的精神遗产
陈星弼院士一生淡泊名利，始终以国家需求为导向，坚持科研报国的理想。他的敬业精神、严谨治学的态度以及对学生的关爱，深深影响着后人。他的离世是中国电子科技界的一大损失，但他留下的学术思想和精神财富将永远激励着后来者不断前行。
陈星弼院士的逝世，是科学界的重大损失，也是我们共同缅怀和纪念的时刻。他的名字将永远铭刻在中国电子科技发展的历史长河中。
